Optical and structural characterization of SiGe alloy layers and multiple quantum wells

Casalboni, M.; Davoli, I.; De Crescenzi, M.; Izzi, B.; Pinto, Nicola; De Matteis, F.; Luci, A.; Motta, N.; Pizzoferrato, R.; Prosposito, P.

Preliminary results on Si/Ge heterostructures grown by molecular beam epitaxy (MBE) are presented. RHEED, XPS and AMF data, together with photoluminescence measurements show the good quality of the samples both from the point of view of structural and optical properties.

Scheda prodotto non validato

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Titolo:	Optical and structural characterization of SiGe alloy layers and multiple quantum wells
Autori:	M. Casalboni I. Davoli M. De Crescenzi B. Izzi PINTO, Nicola F. De Matteis A. Luci N. Motta R. Pizzoferrato P. Prosposito mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	1995
Rivista:	VUOTO
Abstract:	Preliminary results on Si/Ge heterostructures grown by molecular beam epitaxy (MBE) are presented. RHEED, XPS and AMF data, together with photoluminescence measurements show the good quality of the samples both from the point of view of structural and optical properties.
Handle:	http://hdl.handle.net/11581/225732
Appare nelle tipologie:	Articolo

File in questo prodotto:

Non ci sono file associati a questo prodotto.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11581/225732

Citazioni

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.