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We present a study of island formation during MBE growth of Si1-xGex layers at different substrate temperatures (TS) and germanium fluxes. Electron microscopy characterizations (SEM, TEM and EDX) of films deposited at TS = 600 °C, revealed the presence of Si-Ge islands grown in a Stranski-Krastanow mode, whose dimensions and densities have been found linked to Ge flux. Moreover, layers prepared as a function of TS, are epitaxial and continous for growth temperatures lower than 500 °C and evidence the presence of a strain field in the Si wafer under the Si1-xGex layer and the formation of dislocations whose low density cannot justify the complete relaxation of the Si1-xGex films. We propose a simple explanation of the results observed.
We present a study of island formation during MBE growth of Si1-xGex layers at different substrate temperatures (TS) and germanium fluxes. Electron microscopy characterizations (SEM, TEM and EDX) of films deposited at TS = 600 °C, revealed the presence of Si-Ge islands grown in a Stranski-Krastanow mode, whose dimensions and densities have been found linked to Ge flux. Moreover, layers prepared as a function of TS, are epitaxial and continous for growth temperatures lower than 500 °C and evidence the presence of a strain field in the Si wafer under the Si1-xGex layer and the formation of dislocations whose low density cannot justify the complete relaxation of the Si1-xGex films. We propose a simple explanation of the results observed.
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
