CAMPUS è l'Archivio istituzionale delle pubblicazioni scientifiche dell’Università di Camerino. E’ un sistema aperto, pubblico e interoperabile che raccoglie, conserva ed espone i dati relativi alle attività e ai prodotti della ricerca dell’Ateneo con lo scopo di migliorarne la visibilità e di favorirne l’impatto a livello nazionale e internazionale.
EnglishMeasurements using photothermal deflection spectroscopy (PDS) have been performed on samples of amorphous gallium arsenide deposited by rf sputtering of monocrystalline GaAs targets with and without hydrogen. The trend of the Urbach energy, E0, and Tauc gap, E(g), as a function of some of the deposition parameters is discussed. In particular, the behavior of E0 shows a decrease as a function of the quantity (W/p)1/2, where W is the discharge power and p the pressure of the deposition chamber. E(g) increases with the hydrogen pressure and tends to saturate when p(H-2) is greater than 0.1 Pa. E0 shows exactly the opposite trend.
Scheda prodotto non validato
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo
| Titolo: | Urbach tail in amorphous gallium arsenide films. | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 1992 | |
| Rivista: | ||
| Abstract: | Measurements using photothermal deflection spectroscopy (PDS) have been performed on samples of amorphous gallium arsenide deposited by rf sputtering of monocrystalline GaAs targets with and without hydrogen. The trend of the Urbach energy, E0, and Tauc gap, E(g), as a function of some of the deposition parameters is discussed. In particular, the behavior of E0 shows a decrease as a function of the quantity (W/p)1/2, where W is the discharge power and p the pressure of the deposition chamber. E(g) increases with the hydrogen pressure and tends to saturate when p(H-2) is greater than 0.1 Pa. E0 shows exactly the opposite trend. | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11581/203181 | |
| Appare nelle tipologie: | Articolo |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11581/203181
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Copyright © 2022