CAMPUS è l'Archivio istituzionale delle pubblicazioni scientifiche dell’Università di Camerino. E’ un sistema aperto, pubblico e interoperabile che raccoglie, conserva ed espone i dati relativi alle attività e ai prodotti della ricerca dell’Ateneo con lo scopo di migliorarne la visibilità e di favorirne l’impatto a livello nazionale e internazionale.
EnglishAlternate Si and Ge monolayers deposited by molecular-beam epitaxy on Si0.7Ge0.3 alloy have been ana- lyzed by means of photoluminescence spectroscopy. We measured well-resolved excitonic transitions located at 0.8 eV, far from the alloy emission with the same stoichiometric composition. We discuss this feature in terms of interface mixing producing an ordered alloy to accommodate the tetragonal strain in the Sim/Gen monolayer superlattice with m and n<3.
Scheda prodotto non validato
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo
| Titolo: | Interface ordering in Sim/Gen monolayer superlattices: A photoluminescence study |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 1996 |
| Rivista: | |
| Abstract: | Alternate Si and Ge monolayers deposited by molecular-beam epitaxy on Si0.7Ge0.3 alloy have been ana- lyzed by means of photoluminescence spectroscopy. We measured well-resolved excitonic transitions located at 0.8 eV, far from the alloy emission with the same stoichiometric composition. We discuss this feature in terms of interface mixing producing an ordered alloy to accommodate the tetragonal strain in the Sim/Gen monolayer superlattice with m and n<3. |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11581/203151 |
| Appare nelle tipologie: | Articolo |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Copyright © 2020