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Electronic properties of amorphous gallium arsenide deposited by reactive sputtering
1989-01-01 G., Casamassima; T., Ligonzo; Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola; L., Schiavulli; A., Valentini
The density of states in the mobility gap of a-Si1-x Ge x films.
1991-01-01 Gozzo, F.; Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola; Schiavulli, L.
Structural characterization of unhydrogenated amorphous GaAs.
1991-01-01 Murri, Roberto Vittorio; Gozzo, F.; Pinto, Nicola; Schiavulli, L.; De Blasi, C.; Manno, D.
Physical properties of hydrogenated amorphous gallium arsenide.
1991-01-01 Carbone, A.; De Michelis, F.; Kaniadakis, G.; Gozzo, F.; Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola; Schiavulli, L.; Della Mea, G.; Drigo, A.; Paccagnella, A.
Urbach tail in amorphous gallium arsenide films.
1992-01-01 Murri, Roberto Vittorio; Schiavulli, Luigi; Pinto, Nicola; Ligonzo, T.
Structural characterization of hydrogenated amorphous GaAs.
1992-01-01 Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola; Schiavulli, L.; Fukuhisa, R.; De Blasi, C.; Manno, D.
Optical properties of amorphous gallium arsenide films.
1993-01-01 Pinto, Nicola; Murri, Roberto Vittorio
The influence of hydrogen on the electrical properties of a-GaAs.
1993-01-01 Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola; Schiavulli, L.; Fukuhisa, R.; Mirenghi, L.
Selective and sensitive humidity sensor based on barium chloride dihydrate
1993-01-01 Sberveglieri, G.; Faglia, G.; Ricci, R.; Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola
Electronic-transport properties of unhydrogenated amorphous gallium arsenide
1993-01-01 Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola; Schiavulli, L.
Influence of kinetic roughening on the epitaxial growth of silicon.
1994-01-01 J., Chevrier; A., Cruz; Pinto, Nicola; I., Berbezier; J., Derrien
Raman study of gallium arsenide thin films.
1994-01-01 I. D., Desnica; M., Ivanda; M., Kranjcec; Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola
Islands formation in Si1-x Gex alloys films grown by MBE
1995-01-01 L., Lucchetti; G., Majni; P., Mengucci; Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola; L., Trojani
A humidity sensor operating at very low temperature
1995-01-01 Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola; C., Ercoli; G., Sberveglieri; R., Anchisini; G., Faglia; V., Ferrari; D., Marioli
Optical and structural characterization of SiGe alloy layers and multiple quantum wells
1995-01-01 M., Casalboni; I., Davoli; M., De Crescenzi; B., Izzi; Pinto, Nicola; F., De Matteis; A., Luci; N., Motta; R., Pizzoferrato; P., Prosposito
Characterization of porous Al2O3-SiO2/Si sensor for low and medium humidity ranges
1995-01-01 Sberveglieri, G.; Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola
Islands formation conditions in silicon-germanium alloys grown by MBE.
1995-01-01 Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola; Trojani, L.; Majni, G.; Mengucci, P.; Lucchetti, L.
X-ray photoelectron-diffraction study of intermixing and morphologyat the Ge/Si(001) and Ge/Sb/Si(001) interface.
1996-01-01 Gunnella, Roberto; Castrucci, P.; Pinto, Nicola; Davoli, I.; Sébilleau, D.; De Crescenzi, M.
Optical properties of amorphous GaAs
1996-01-01 Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola
Photoconductivity of amorphous GaAs.
1996-01-01 Coscia, U.; Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola; Trojani, L.
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | Tipo | File |
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Electronic properties of amorphous gallium arsenide deposited by reactive sputtering | 1-gen-1989 | G., Casamassima; T., Ligonzo; Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola; L., Schiavulli; A., Valentini | Articolo | |
The density of states in the mobility gap of a-Si1-x Ge x films. | 1-gen-1991 | Gozzo, F.; Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola; Schiavulli, L. | Articolo | |
Structural characterization of unhydrogenated amorphous GaAs. | 1-gen-1991 | Murri, Roberto Vittorio; Gozzo, F.; Pinto, Nicola; Schiavulli, L.; De Blasi, C.; Manno, D. | Articolo | |
Physical properties of hydrogenated amorphous gallium arsenide. | 1-gen-1991 | Carbone, A.; De Michelis, F.; Kaniadakis, G.; Gozzo, F.; Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola; Schiavulli, L.; Della Mea, G.; Drigo, A.; Paccagnella, A. | Articolo | |
Urbach tail in amorphous gallium arsenide films. | 1-gen-1992 | Murri, Roberto Vittorio; Schiavulli, Luigi; Pinto, Nicola; Ligonzo, T. | Articolo | |
Structural characterization of hydrogenated amorphous GaAs. | 1-gen-1992 | Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola; Schiavulli, L.; Fukuhisa, R.; De Blasi, C.; Manno, D. | Articolo | |
Optical properties of amorphous gallium arsenide films. | 1-gen-1993 | Pinto, Nicola; Murri, Roberto Vittorio | Articolo | |
The influence of hydrogen on the electrical properties of a-GaAs. | 1-gen-1993 | Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola; Schiavulli, L.; Fukuhisa, R.; Mirenghi, L. | Articolo | |
Selective and sensitive humidity sensor based on barium chloride dihydrate | 1-gen-1993 | Sberveglieri, G.; Faglia, G.; Ricci, R.; Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola | Articolo | |
Electronic-transport properties of unhydrogenated amorphous gallium arsenide | 1-gen-1993 | Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola; Schiavulli, L. | Articolo | |
Influence of kinetic roughening on the epitaxial growth of silicon. | 1-gen-1994 | J., Chevrier; A., Cruz; Pinto, Nicola; I., Berbezier; J., Derrien | Articolo | |
Raman study of gallium arsenide thin films. | 1-gen-1994 | I. D., Desnica; M., Ivanda; M., Kranjcec; Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola | Articolo | |
Islands formation in Si1-x Gex alloys films grown by MBE | 1-gen-1995 | L., Lucchetti; G., Majni; P., Mengucci; Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola; L., Trojani | Articolo | |
A humidity sensor operating at very low temperature | 1-gen-1995 | Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola; C., Ercoli; G., Sberveglieri; R., Anchisini; G., Faglia; V., Ferrari; D., Marioli | Poster atto convegno su volume | |
Optical and structural characterization of SiGe alloy layers and multiple quantum wells | 1-gen-1995 | M., Casalboni; I., Davoli; M., De Crescenzi; B., Izzi; Pinto, Nicola; F., De Matteis; A., Luci; N., Motta; R., Pizzoferrato; P., Prosposito | Articolo | |
Characterization of porous Al2O3-SiO2/Si sensor for low and medium humidity ranges | 1-gen-1995 | Sberveglieri, G.; Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola | Articolo | |
Islands formation conditions in silicon-germanium alloys grown by MBE. | 1-gen-1995 | Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola; Trojani, L.; Majni, G.; Mengucci, P.; Lucchetti, L. | Articolo | |
X-ray photoelectron-diffraction study of intermixing and morphologyat the Ge/Si(001) and Ge/Sb/Si(001) interface. | 1-gen-1996 | Gunnella, Roberto; Castrucci, P.; Pinto, Nicola; Davoli, I.; Sébilleau, D.; De Crescenzi, M. | Articolo | |
Optical properties of amorphous GaAs | 1-gen-1996 | Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola | Capitolo di libro o voce di enciclopedia | |
Photoconductivity of amorphous GaAs. | 1-gen-1996 | Coscia, U.; Murri, Roberto Vittorio; Pinto, Nicola; Trojani, L. | Articolo |
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